光刻機

光刻機 / 紫外曝光機   Mask Aligner

產地：美國, 韓國;

型號：M 200, M-150;

技術規格：

1)   樣品臺

      X/Y移動范圍：+/-10mm ;

      Z移動范圍：1500um ;

　   千分尺：0.001”, 0.0001” ;

　   旋轉：+/-3.5° ;

2)   模板尺寸：最大9” X 9” ;

3)   光源尺寸：最大8” X 8” ;

4)   光源功率

　   紫外：200W, 350W, 500W, 1000W, 2000W ;

　   深紫外：500W, 1000W, 2000W ;

5)   曝光時間調節器：1 ~ 999秒(精度1秒)，0.1 ~ 99.0秒(精度0.1秒)；

6)   尺寸：高度(940mm) X 寬度(788mm) X 深度(635mm)；重量：250磅；

儀器特點：

1）   模板夾具、襯底夾具，易于更換；

2）   對準精度：優于1um；

3）   選配的背面光刻對準精度：3-5um；

4）   紫外光源波長可快速改變；

5）   曝光強度控制精度：+/-2%；

6）   可以選配納米壓印模塊(NIL)；

7）   可以選配微流控模塊；

應用領域：

1）   MEMS ;

2）   納米壓印(NIL) ;

3）   微流控(Microfluidics);

4）   納米技術；

5）   II-VI及III-V半導體器件制造；

6）   光刻工藝；

7）   LCD及FED顯示；

8）   MCM’s ;

9）   薄膜器件；

10）太陽能電池；

11） SAW器件；

參考用戶：

廣東工業大學等..