低壓化學氣相沉積系統(LPCVD)

產地：韓國

LPCVD低壓化學氣相沉積法是用加熱的方式，在低壓條件下，使氣態化合物在基片表面反應并淀積形成穩定固體薄膜。由于工作壓力低，氣體分子的平均自由程和擴散系數大，故可采用密集裝片方式來提高生產率，并在襯底表面獲得均勻性良好的薄膜淀積層。LPCVD 用于淀積Poly-Si、Si3N4、SiO2磷硅玻璃、硼磷硅玻璃、非晶硅及難熔金屬硅化物等多種薄膜，廣泛應用于半導體集成電路、電力、電子、光電子及MEMS等行業的生產工藝中。

技術規格特點：

  .適用硅片尺寸：4inch ~ 6inch；

   .工作溫度范圍：350~1000℃；

  . 恒溫長度及精度：760mm±1℃；

  . 溫度梯度：0~30℃可調；

  . 系統極限真空度：0.8 Pa；

  . 工作壓力范圍：30Pa~133Pa可調；

  . 淀積膜種類： Poiy-Si，SiO2，Si3N4 ；

  . 淀積膜均勻性：＜±3%；